小型三温区管式CVD系统为实验室用小型管式CVD系统。

小型三温区管式CVD介绍

小型三温区管式CVD系统是一种用于实验室的小型管式化学气相沉积（CVD）系统。CVD是一种通过在低压下将气体引入反应室中，在表面上生成薄膜的技术。

该型管式CVD系统主要由炉管、加热器、反应室、真空泵、气路系统等组成。其中，炉管用于承载待处理样品，并沿轴向提供三个不同温度区域以进行多步化学反应。加热器则用于对反应室进行加热，产生足够高的温度来促进反应。反应室则由高温材料制成，具有很好的耐高温性能和稳定的机械性能。真空泵用于排除反应室内的氧气和其它杂质气体，以创造纯净的反应环境。气路系统则用于引入不同的气体供给，在反应过程中实现沉积层的控制和调节。

小型三温区管式CVD系统具有结构紧凑、操作方便、温度控制精度高等优点，适用于研究人员对新材料的制备和表征。在半导体、光电子学、纳米科技等领域得到了广泛应用。

主要应用：

可应用于新能源材料，金属材料，磁性材料，半导体材料，陶瓷材料，电化学，薄膜材料，CVD，MOCVD，PECVD，UPECVD，JPECVD，石墨烯的合成。

小型三温区管式CVD系统主要技术参数：

1. 真空管式炉：

电炉名称：1200℃三温区管式炉

设计温度：1200 ℃

额定温度：1100 ℃

加热区长度：300+300+300 mm（3点控温）

升温速率：≤20 ℃/min

炉管尺寸：Φ80×14000 mm(可选)

外型尺寸（长×宽×高）：1030×430×600 mm

额定功率：5 kW

额定电压：AC220~240 V 50 Hz

重量：80 kg

2. 供气系统G-3Z（质子流量计）：

外形尺寸：600×600×650 mm

连接头类型：双卡套不锈钢接头。

标准量程（N2)：100、200、500 sccm；（可根据用户要求定制）

准确度：±1.5% F.S.

线性：±0.5～1.5% F.S.

重复精度：±0.2% F.S.

响应时间：气特性：1～3 s，电特性：10 s

工作压差范围：0.1～0.5 MPa

蕞大压力：3 MPa

接口：Φ6,1/3''

显示：4位数字显示

工作环境温度：5~45高纯气体

内外双抛不锈钢管：Φ6

压力真空表：－0.1～0.15 MPa，0.01 MPa/格

截止阀：Φ6

3. 低真空机组：

抽速：8 m-3/h

极限真空度：5×10-1 Pa

电源：220 V 50 Hz

电机功率：0.4 kW

进排气连接口：KF25

用油量：0.6~1 L

电机转速：1440 rpm

工作环境温度：5~40 ℃

样品要求：固体材料

注意事项：

1. 使用前请先放入绝热塞子，绝热塞子的位置可根据实际情况向外拉出，但两边塞子位置一定要对称。

2. 降温时请利用程序降温，不建议直接按“stop”键降温，设备温度在500 ℃以上时不要直接关闭设备电源。

3.高温炉炉管不建议正压使用，如果要使用正压压强绝不允许超过0.02 Mpa。

仪器说明：

这款配置的低真空CVD系统集1200 ℃开启式真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成，有三个温区，可预抽真空（有高真空、低真空），通多种气氛（供气系统有质子流量器和浮子流量控制器）。真空泵可选用进口设备，性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作等特点。

CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。可通气氛抽真空，其开启式结构使得拆装炉管方便，操作简捷，使用者可直接将密封腔体移出炉体，加快降温过程。炉管工件横穿与8组进口电阻丝的炉膛，温场均匀，内外温差可控制在3℃左右，气动弹簧支撑结构让操作者可各角度安全开启。