小型PECVD系统使用说明
小型PECVD系统为薄膜制备设备，PECVD采用前段预热+双温区滑动结构设计，是由真空系统、供气流量系统、射频源、自动推进、加热炉、预加热组成，并将所有控制集成于触屏操控界面之中。
可用于半导体、集成电路、光电科学、电子信息、纳米技术等领域研究，可以在各种尺寸和形状的基底上沉积可以多种薄膜。
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，然后在样品表面形成固态薄膜。
小型PECVD系统使用说明：
1、加热炉适用的工作条件包括：环境温度：10～75 ℃，周围环境相对湿度不超过85%；炉子周围没有导电尘埃、爆炸性气体及腐蚀性气体；没有明显的倾斜﹑振动和颠簸。
2、炉子长时间不用后，先要120 ℃烘烤1 h，再300 ℃烘烤2 h后使用，以免造成炉膛开裂。炉温尽量不要超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保持炉内的清洁。
3、炉膛若采用石英管，当温度高于1000 ℃时，石英管的高温部分会出现不透明现象，是连熔石英管的固有缺陷,属正常现象。
4、冷炉使用时，低温段升温速率不易过快，各温度段的升温速率差别不易太大，设置升温速率时应充分考虑所烧结材料的物理化学性质，以免出现喷料现象，污染炉管。
5、定期检查温度控制系统的电器连接部分的接触是否良好，应特别注意加热元件的各连接点的连接是否紧固。
主要技术参数：
双温区滑轨炉：带有预热炉，加热温度范围：100/1100℃可调，管径为φ60mm.
溅射区域长度：2000mm。
等离子射频发生器：输出功率5~500 W可调；
射频电源频率13.56 MHz；冷却方式为空气冷却；
输入电源：208~240 VAC，50/60 Hz；
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