小型PECVD系统介绍

PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种通过在化学气相沉积过程中加入等离子体以促进反应的技术。它可以用于在各种基底上生长薄膜，如硅基、氧化铝、玻璃等。

小型PECVD设备通常由一个管式炉和相应的气体进料系统组成。其中管式PECVD是一种使用石英管作为反应室的PECVD系统，可以在较高温度下进行反应。其优点包括可以在狭窄的反应空间内生长薄膜，从而在相对较小的设备中实现高密度的生长。

PECVD原理是利用等离子体将气态前体分解成高能量的离子和自由基，从而在表面上引发化学反应并形成薄膜。在PECVD工艺中，气体进入反应室并被加热至高温。然后，通过加入等离子体使气体在高能态下发生反应，然后在基底上生长薄膜。

小型PECVD系统可以用于许多应用，如生长硅基薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和多层复合膜。它在微电子制造和太阳能电池等领域中得到广泛应用。

虽然小型PECVD系统的生产速度较慢，但它具有易于使用、可定制、节约空间和成本等优点。这使得小型PECVD系统成为科研实验室和小型生产环境中常用的工具。

总之，小型PECVD设备是一种可靠、高效、多功能的薄膜生长系统，可用于微电子和其他相关领域。对于那些寻找高品质、定制化和成本效益的薄膜制备工具的人来说，它是一个不可或缺的工具。

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

该微型PECVD系统由小型真空管式炉、石英真空室、真空抽气与测量系统、气路系统、射频电源系统和物料喷射系统组成。该系统具有广泛的适用范围，可用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜以及各种薄膜的连续生长。其电源范围宽，可调节0至150瓦；温度范围广泛，可调节100至1200度；溅射区域也可调节，范围为0至600毫米。该系统还具有易于增加功能和可扩展等离子清洗刻蚀等功能的特点。

该微型PECVD系统的主要特点包括以下几个方面：

1、采用甚高频技术，大大提高了薄膜沉积速率，可达到10Å/S；

2. 射频功率的定时控制——预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间，自动运行；
3. 炉膛移动速度可调——根据实验要求，用户可设定炉膛左右移动的速度可距离，在沉积结束后炉膛可自动移开沉积区，使样品快速冷却；

4、采用先进的多点射频馈入技术、特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；

5、采用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；

6、高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；

7、选配物料喷射系统，可将原料直接喷射到反应区，具有更高的效率和可控性。

加热炉部分

射频电源功率

真空系统：

混气系统