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RTP快速退火炉\CVD生长系统设备

SGM CVD生长系统设备为洛阳西格马高温电炉生产的1200℃滑动式管式炉,可作为RTP快速退火炉使用。快速热处理退火炉简称 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace),具有快速升温特点。
通过采用大功率红外线辐射方式快速预加热,快速退火炉温度均匀度≤1%,处理的大尺寸可以达到200mm,温度可以达到1200摄氏度,处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行,做多可支持4~6路进气,可以用到的气体包含N2,O2,N2H2,Ar和H2。
RTP快速退火炉已经成为半导体、铁电体以及镀膜行业的重要退火技术。但是目前,只有大型的、昂贵的生产设备才能完成快速热处理,这大大降低了研发工作的效率(尤其是小的样品)。

RTP快速退火炉产品用途:

此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

RTP快速退火炉产品组成:

CVD生长系统设备配置:

1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区)。

2.多路质量流量控制系统

3.真空系统(可选配中真空或高真空)     

产品特点:

1 控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵

 防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。

CVD生长系统主要技术参数:

系统名称 1200℃滑动式管式炉/双温区CVD系统
系统型号 CVD-12IH-3Z/G CVD-12IIH-3Z/G CVD-12II6H-3Z/G
额定温度 1200℃
加热区长度 420mm 420mm 610mm
恒温区长度 210mm 280mm 400mm
温区 单温区 双温区 双温区
石英管管径 Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm Φ50/Φ60/Φ80mm Φ80/Φ100mm
额定功率 2.5Kw 3.2Kw 4.8Kw
额定电压 220V
滑动距离 290mm 485mm
滑动方式 自动滑动/手动滑动
温度控制 国产程序控温系统50段程序控温;
控制精度 ±1℃
炉管zui高工作温度 <1200℃
气路法兰 密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效,该密封法兰的安装只需在*次使用设备的时候安装
气体控制方式 质量流量计
气路数量 3路(可根据具体需要选配气路数量)
流量范围 0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定
精度 ±1%F.S
响应时间 ≤4sec
工作温度 5-45℃
工作压力 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)
系统连接方式 采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
规格 中真空 高真空
系统真空范围 10Pa-100Pa 1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵 双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw 真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V功率2KW 真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V功率2KW
炉体外形尺寸 340×580×555mm 480×770×605mm
系统外形尺寸 530x1440x750mm 530x1440x750mm(不含高真空)
设备总重量 235kg 340kg

此CVD生长系统设备包含红外金面反射炉和高精度的温度控制器。可根据需求选配相应的泵和气体接口。
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